Молимо вас користите овај идентификатор за цитирање или овај линк до ове ставке:
https://open.uns.ac.rs/handle/123456789/392
Назив: | Computation of Pinched Hysteresis Loop Area from Memristance-vs-State Map | Аутори: | Juhas, Anamarija Dautović, Staniša |
Датум издавања: | 1-апр-2019 | Часопис: | IEEE Transactions on Circuits and Systems II: Express Briefs | Сажетак: | © 2004-2012 IEEE. The voltage-current characteristic of memristor driven by sinusoidal signal has the shape of hysteresis loop pinched at the origin. The lobe area of the hysteresis loop has been computed so far either from the voltage-current plane for all types of memristors or from the constitutive relation in the flux-charge plane of ideal memristor. In this brief, we provide an alternative approach in computing the lobe area from the memristance-versus-state map of ideal and ideal generic memristors driven by sinusoidal or periodic continuous piecewise linear signal with zero dc component. The applicability of the proposed approach is demonstrated through a number of examples. | URI: | https://open.uns.ac.rs/handle/123456789/392 | ISSN: | 15497747 | DOI: | 10.1109/TCSII.2018.2868384 |
Налази се у колекцијама: | FTN Publikacije/Publications |
Приказати целокупан запис ставки
SCOPUSTM
Навођења
2
проверено 29.04.2023.
Преглед/и станица
21
Протекла недеља
7
7
Протекли месец
0
0
проверено 10.05.2024.
Google ScholarTM
Проверите
Алт метрика
Ставке на DSpace-у су заштићене ауторским правима, са свим правима задржаним, осим ако није другачије назначено.