Молимо вас користите овај идентификатор за цитирање или овај линк до ове ставке:
https://open.uns.ac.rs/handle/123456789/7269
Назив: | Positive bias temperature instability of irradiated n-channel thin film transistors | Аутори: | Jelenković E. Kovačević, Marko Stupar D. Jha S. Bajić, Jovan Tong K. |
Датум издавања: | 1-апр-2014 | Часопис: | Thin Solid Films | Сажетак: | Differently processed thin film transistors (TFTs) were exposed to gamma irradiation to the total dose of 1200 Gy under positive gate bias and 2500 Gy without electrical bias during radiation. Post-irradiation stability was evaluated by positive bias temperature (PBT) test in the temperature range between 100 and 150 C and compared to the positive bias temperature test instability (PBTI) of non-irradiated TFTs. It was found that post-irradiation PBTI is affected by the fabrication conditions of TFTs and the level of damage caused by irradiation. © 2014 Elsevier B.V. | URI: | https://open.uns.ac.rs/handle/123456789/7269 | ISSN: | 406090 | DOI: | 10.1016/j.tsf.2014.01.079 |
Налази се у колекцијама: | FTN Publikacije/Publications |
Приказати целокупан запис ставки
SCOPUSTM
Навођења
1
проверено 09.09.2023.
Преглед/и станица
17
Протекла недеља
1
1
Протекли месец
0
0
проверено 10.05.2024.
Google ScholarTM
Проверите
Алт метрика
Ставке на DSpace-у су заштићене ауторским правима, са свим правима задржаним, осим ако није другачије назначено.